RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
20
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,168.2
15.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
60
Rund um -107% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
5300
Rund um 4.02 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
60
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,595.2
20.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,168.2
15.1
Speicherbandbreite, mbps
5300
21300
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
941
3559
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905663-016.A00G 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston HP32D4U2S1ME-8 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMK64GX4M4B3200C16 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C14 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C14 4GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVR 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link