RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
14.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,168.2
11.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
34
60
Rund um -76% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
5300
Rund um 3.62 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
60
34
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,595.2
14.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,168.2
11.3
Speicherbandbreite, mbps
5300
19200
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
941
2826
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZ20B 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Kingston CBD24D4S7D8ME-16 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FD 16GB
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMW64GX4M4C3000C15 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Mushkin 996902 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z2666C16 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link