RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
14.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,168.2
11.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
60
Wokół strony -76% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
60
34
Prędkość odczytu, GB/s
4,595.2
14.8
Prędkość zapisu, GB/s
2,168.2
11.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
941
2826
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 9905712-048.A00G 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9905702-150.A00G 8GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M2A2800C16 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFST.16FD 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston HP32D4U8S8HD-8X 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link