RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
14.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,168.2
11.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
34
60
Rund um -76% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
5300
Rund um 3.62 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
60
34
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,595.2
14.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,168.2
11.4
Speicherbandbreite, mbps
5300
19200
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
941
2831
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Kingston KHX2400C14S4/16G 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHAB 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Avant Technology W642GU42J7240N8 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17/16G 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link