Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB против Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB

-->

Средняя оценка

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Средняя оценка

Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB

Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Причины выбрать
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

4 14.9

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

2,168.2 11.4

Среднее значение в тестах

Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB

Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

34 60

Около -76% меньшая задержка
Выше пропускная способность

19200 5300

Около 3.62 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

60 34
Скорость чтения, Гб/сек

4,595.2 14.9
Скорость записи, Гб/сек

2,168.2 11.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек

5300 19200

Other

Описание

PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 667 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

941 2831

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB

Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB

модули RAM

Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB

Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381S 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381S 8GB

модули RAM

SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB

Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB

Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB

модули RAM

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Kingston MSI24D4S7S7MH-16 16GB

Kingston MSI24D4S7S7MH-16 16GB

модули RAM

Kingston 9905471-006.A00LF 4GB

Kingston 9905471-006.A00LF 4GB

Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FAR 4GB

Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FAR 4GB

модули RAM

Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB

Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N

модули RAM

A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB

A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB

Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB

Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB

модули RAM

Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB

Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB

Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB

Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB

модули RAM

Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB

Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB

Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHA0 8GB

Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHA0 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB

Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N

модули RAM

Kingston 9905471-071.A00LF 8GB

Kingston 9905471-071.A00LF 8GB

Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB

Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB

модули RAM

G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB

G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB

Kingston KHX2400C15S4/8G 8GB

Kingston KHX2400C15S4/8G 8GB

модули RAM

Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB

Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB

Kingston HP26D4S9S8ME-8 8GB

Kingston HP26D4S9S8ME-8 8GB

модули RAM

Kingston 9965516-049.A00LF 8GB

Kingston 9965516-049.A00LF 8GB

Corsair CMK32GX4M2Z3200C16 16GB

Corsair CMK32GX4M2Z3200C16 16GB

модули RAM