RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
15.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
31
60
Rund um -94% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.6
2,168.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
5300
Rund um 3.62 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
60
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,595.2
15.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,168.2
9.6
Speicherbandbreite, mbps
5300
19200
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
941
2554
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FARG 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Kingston KHX21334D4/8G 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Super Talent F24SB8GH 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link