RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Comparez
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Note globale
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Note globale
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
15.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
60
Autour de -94% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.6
2,168.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
5300
Autour de 3.62 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
60
31
Vitesse de lecture, GB/s
4,595.2
15.4
Vitesse d'écriture, GB/s
2,168.2
9.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
19200
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
941
2554
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Comparaison des RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVK 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMWX16GC3000C16W4D 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E84-3000D 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9965684-005.A00G 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
AMD R748G2400U2S-UO 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
INTENSO 5641152 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston KF2933C17S4/32G 32GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link