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Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GFX 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-2933C14-16GFX 16GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-2933C14-16GFX 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
16.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,168.2
13.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-2933C14-16GFX 16GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
41
60
Rund um -46% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
5300
Rund um 3.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GFX 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
60
41
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,595.2
16.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,168.2
13.7
Speicherbandbreite, mbps
5300
17000
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
941
3731
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
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Corsair CMK32GX4M2K3600C16 16GB
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Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
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