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Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GFX 16GB
比较
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-2933C14-16GFX 16GB
总分
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
总分
G Skill Intl F4-2933C14-16GFX 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
16.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,168.2
13.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2933C14-16GFX 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
41
60
左右 -46% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GFX 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
60
41
读取速度,GB/s
4,595.2
16.7
写入速度,GB/s
2,168.2
13.7
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
941
3731
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB RAM的比较
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Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston HX424C15FB/16 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMT64GX4M8C3200C16 8GB
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G24002 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FH1 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Kingston K000MD44U 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
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