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Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GFX 16GB
比较
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-2933C14-16GFX 16GB
总分
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
总分
G Skill Intl F4-2933C14-16GFX 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
16.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,168.2
13.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2933C14-16GFX 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
41
60
左右 -46% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GFX 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
60
41
读取速度,GB/s
4,595.2
16.7
写入速度,GB/s
2,168.2
13.7
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
941
3731
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB RAM的比较
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
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Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
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Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FB 4GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
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SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z2666C16 8GB
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Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMW64GX4M8C3200C16 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
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