Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB

Gesamtnote
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Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Gesamtnote
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G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB

G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB

Unterschiede

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
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  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    60 left arrow 75
    Rund um 20% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    4 left arrow 14.5
    Durchschnittswert bei den Tests
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Einen Fehler melden
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    7.6 left arrow 2,168.2
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    17000 left arrow 5300
    Rund um 3.21 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    60 left arrow 75
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    4,595.2 left arrow 14.5
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    2,168.2 left arrow 7.6
  • Speicherbandbreite, mbps
    5300 left arrow 17000
Other
  • Beschreibung
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    941 left arrow 1735
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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