RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Сравнить
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB против G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
60
75
Около 20% меньшая задержка
Выше скорость чтения
4
14.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
7.6
2,168.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
60
75
Скорость чтения, Гб/сек
4,595.2
14.5
Скорость записи, Гб/сек
2,168.2
7.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
941
1735
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190A 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z2933C16 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ME68FAF1600 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM8G 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CMK16GX4M2B4266C19 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Avant Technology J641GU42J5213N0 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 99U5713-001.A00G 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M8X4000C19 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link