RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Сравнить
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB против G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
-->
Средняя оценка
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
75
Около 64% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.7
14.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.8
7.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
17000
Около 1.25% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
75
Скорость чтения, Гб/сек
16.7
14.5
Скорость записи, Гб/сек
11.8
7.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
17000
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2756
1735
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C14 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
Kingston 9905403-003.B00LF 4GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3000 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link