RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Comparez
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Note globale
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Note globale
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
75
Autour de 64% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.7
14.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.8
7.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
17000
Autour de 1.25% bande passante supérieure
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Signaler un bogue
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
75
Vitesse de lecture, GB/s
16.7
14.5
Vitesse d'écriture, GB/s
11.8
7.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
21300
17000
Other
Description
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2756
1735
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Comparaison des RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB Comparaison des RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3600C16 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Avant Technology J641GU42J9266ND 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
InnoDisk Corporation 16GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Corsair CMU32GX4M4C3400C16 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link