RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
18.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,168.2
15.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
60
Rund um -161% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
5300
Rund um 4.02 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
60
23
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,595.2
18.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,168.2
15.1
Speicherbandbreite, mbps
5300
21300
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
941
3498
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB RAM-Vergleiche
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Corsair CMR16GX4M2C3600C18 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMD32GX4M2C3466C16W 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
Team Group Inc. 16GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9905622-051.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link