RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Comparez
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Note globale
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
18.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,168.2
15.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
60
Autour de -161% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
5300
Autour de 4.02 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
60
23
Vitesse de lecture, GB/s
4,595.2
18.2
Vitesse d'écriture, GB/s
2,168.2
15.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
21300
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
941
3498
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Comparaison des RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB Comparaison des RAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 9965639-002.A01G 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 99U5734-036.A00G 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Inmos + 256MB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Kingston HP26D4S9S8ME-8 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C16 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Corsair CMR32GX4M4C3333C16 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C22-32GRS 32GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link