RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Comparez
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Note globale
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Note globale
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
41
Autour de -41% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.8
13.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.2
9.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
41
29
Vitesse de lecture, GB/s
13.9
15.8
Vitesse d'écriture, GB/s
9.7
12.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2366
2865
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB Comparaison des RAM
Corsair CMZ8GXMA1600C9 512MB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
Apacer Technology GD2.1140CH.001 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMR16GX4M2D3000C16 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3000C15 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.8FE 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link