RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 99U5713-001.A00G 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Kingston 99U5713-001.A00G 4GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Gesamtnote
Kingston 99U5713-001.A00G 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
60
76
Rund um 21% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
14.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 99U5713-001.A00G 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.0
2,168.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
5300
Rund um 3.62 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 99U5713-001.A00G 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
60
76
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,595.2
14.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,168.2
6.0
Speicherbandbreite, mbps
5300
19200
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
941
1453
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Kingston 99U5713-001.A00G 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBR2 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 99U5713-001.A00G 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M16FE 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDR2 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905712-008.A00G 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Kingston 9905630-018.A00G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C15 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link