RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Vergleichen Sie
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Gesamtnote
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Gesamtnote
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
15.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
41
62
Rund um -51% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.6
1,843.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
6400
Rund um 4 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
62
41
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,556.6
15.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,843.6
13.6
Speicherbandbreite, mbps
6400
25600
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
542
3073
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB RAM-Vergleiche
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Avant Technology W641GU48J5213ND 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9965669-009.A00G 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMWX16GC3000C16W4D 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Apacer Technology 76.D305G.D390B 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR2 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Mushkin MR[ABC]4U266GHHF8G 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link