RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Porównaj
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Wynik ogólny
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
41
62
Wokół strony -51% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.6
1,843.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
62
41
Prędkość odczytu, GB/s
3,556.6
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,843.6
13.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
542
3073
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB Porównanie pamięci RAM
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
Kingston 9905663-007.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK32GX4M4A2666C16 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Kingston 9905678-139.A00G 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3200 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 9905625-074.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link