RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Gesamtnote
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
15.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,168.2
11.0
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
49
60
Rund um -22% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
5300
Rund um 4.83 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
60
49
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,595.2
15.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,168.2
11.0
Speicherbandbreite, mbps
5300
25600
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
941
2534
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB RAM-Vergleiche
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HMT41GR7MFR4C-PB 8GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Kingston 9905665-011.A00G 4GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston HP24D4U7S8MD-8 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology GD2.0927WH.001 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Corsair CMW64GX4M8C3000C15 8GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Ramaxel Technology RMUA5110MD78HAF-2666 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link