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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Vergleichen Sie
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Gesamtnote
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Gesamtnote
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
16.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
33
66
Rund um -100% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.4
1,557.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
6400
Rund um 4 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
66
33
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,775.5
16.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,557.9
10.4
Speicherbandbreite, mbps
6400
25600
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
382
3035
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMH16GX4M2Z3600C18 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
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