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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
比较
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
总分
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
总分
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
16.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
66
左右 -100% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
10.4
1,557.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
6400
左右 4 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
66
33
读取速度,GB/s
2,775.5
16.9
写入速度,GB/s
1,557.9
10.4
内存带宽,mbps
6400
25600
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
382
3035
A-DATA Technology DQVE1908 512MB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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