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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Compara
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Puntuación global
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
16.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
66
En -100% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.4
1,557.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
6400
En 4 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
66
33
Velocidad de lectura, GB/s
2,775.5
16.9
Velocidad de escritura, GB/s
1,557.9
10.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
25600
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
382
3035
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Comparaciones de la memoria RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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