RAM-Vergleich Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB

Gesamtnote

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

4 18.1

Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

2,168.2 15.0

Durchschnittswert bei den Tests

Gründe für die Berücksichtigung
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

23 60

Rund um -161% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps

21300 5300

Rund um 4.02 höhere Bandbreite

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit

5-5-5-15 / 667 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

941 3317

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns