RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Confronto
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Punteggio complessivo
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
18.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,168.2
15.0
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
60
Intorno -161% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
5300
Intorno 4.02 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
60
23
Velocità di lettura, GB/s
4,595.2
18.1
Velocità di scrittura, GB/s
2,168.2
15.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
21300
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
941
3317
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMK64GX4M2D3000C16 32GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston KHX2666C16D4/32GX 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston K821PJ-MIH 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHA0 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link