Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB

Punteggio complessivo
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Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Punteggio complessivo
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Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB

Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB

Differenze

  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    4 left arrow 18.1
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    2,168.2 left arrow 15.0
    Valore medio nei test
  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    23 left arrow 60
    Intorno -161% latenza inferiore
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    21300 left arrow 5300
    Intorno 4.02 larghezza di banda superiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    60 left arrow 23
  • Velocità di lettura, GB/s
    4,595.2 left arrow 18.1
  • Velocità di scrittura, GB/s
    2,168.2 left arrow 15.0
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    5300 left arrow 21300
Other
  • Descrizione
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    941 left arrow 3317
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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