RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Gesamtnote
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
17.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
18
60
Rund um -233% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
2,168.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
5300
Rund um 3.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
60
18
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,595.2
17.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,168.2
8.0
Speicherbandbreite, mbps
5300
17000
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
941
2422
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK32GX4M2B3000C15 16GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9905713-030.A00G 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link