RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
18
60
Wokół strony -233% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.0
2,168.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
60
18
Prędkość odczytu, GB/s
4,595.2
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
2,168.2
8.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
941
2422
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273CH0-CF8 4GB
AMD R534G1601U1S 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston KHX3200C20S4/16G 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Corsair CMT32GX4M4C3600C18 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Apacer Technology 78.C2GFP.C700B 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FH1 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD2 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link