RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
79
Wokół strony 68% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
14.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.1
7.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
79
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
14.1
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
7.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
1651
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Apacer Technology 78.CAGPN.DF40B 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.BAGP4.AR50C 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston HX432C15PB3/16G 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Kingston 9905703-011.A00G 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CMK32GX4M4K4266C19 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMK64GX4M2D3600C18 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link