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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
比较
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
总分
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
总分
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
79
左右 68% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.1
14.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.1
7.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
79
读取速度,GB/s
16.1
14.1
写入速度,GB/s
10.1
7.3
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2764
1651
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM的比较
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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