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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Compara
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Puntuación global
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
79
En 68% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.1
14.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.1
7.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
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Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
25
79
Velocidad de lectura, GB/s
16.1
14.1
Velocidad de escritura, GB/s
10.1
7.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2764
1651
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M1D3000C16 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Kingston 9965640-004.C00G 16GB
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