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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
Compara
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
Puntuación global
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Puntuación global
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
31
En 3% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.5
10.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.8
6.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
8500
En 2.51 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
30
31
Velocidad de lectura, GB/s
10.6
14.5
Velocidad de escritura, GB/s
6.8
11.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
21300
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1479
2892
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
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SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
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