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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
比較する
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
総合得点
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
総合得点
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
25
79
周辺 68% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
16.1
14.1
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
10.1
7.3
テスト平均値
考慮すべき理由
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
バグを報告する
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
12800
周辺 1.66 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
25
79
読み出し速度、GB/s
16.1
14.1
書き込み速度、GB/秒
10.1
7.3
メモリ帯域幅、mbps
12800
21300
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17 18
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2764
1651
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAMの比較
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB RAMの比較
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
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calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905630-018.A00G 8GB
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Corsair CMK64GX4M2E3200C16 32GB
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