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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
比較する
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
総合得点
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
総合得点
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
25
79
周辺 68% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
16.1
14.1
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
10.1
7.3
テスト平均値
考慮すべき理由
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
バグを報告する
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
12800
周辺 1.66 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
25
79
読み出し速度、GB/s
16.1
14.1
書き込み速度、GB/秒
10.1
7.3
メモリ帯域幅、mbps
12800
21300
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17 18
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2764
1651
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAMの比較
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Micron Technology AFLD48VH1P 8GB
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