RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
71
Wokół strony -196% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
21.1
2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
19.8
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
24
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
21.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
19.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
4394
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Corsair CMV16GX4M1A2133C15 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332S 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Avant Technology J642GU42J5213N4 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Kingston 9905703-011.A00G 16GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FR 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Avant Technology J644GU44J2320NQ 32GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link