RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
Gesamtnote
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
71
Rund um -196% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
21.1
2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
19.8
1,322.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
5300
Rund um 3.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
71
24
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,831.6
21.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,322.6
19.8
Speicherbandbreite, mbps
5300
17000
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
399
4394
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905711-002.A00G 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AZC0B 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston 9905624-008.A00G 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology BL32G36C16U4BL.M16FB 32GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Avant Technology J642GU42J7240N4 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHA0 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link