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Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB
Vergleichen Sie
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB
Gesamtnote
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
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Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
96
Rund um -220% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
21.7
2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
16.6
1,336.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
96
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,725.2
21.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,336.0
16.6
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
438
3806
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
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Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston KHYXPX-MID 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
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