RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Porównaj
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
94
Wokół strony -194% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.4
1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.3
1,165.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
94
32
Prędkość odczytu, GB/s
1,882.0
19.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,165.4
16.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
305
3726
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FJ 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Avant Technology J641GU49J2320NE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9905678-173.A00G 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Ramaxel Technology RMSA3260ME78HAF-2666 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link