RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Vergleichen Sie
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Gesamtnote
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Gesamtnote
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
32
94
Rund um -194% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
19.4
1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
16.3
1,165.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
94
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
1,882.0
19.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,165.4
16.3
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
305
3726
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Kingston MSI24D4S7D8MH-16 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Jinyu 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9905701-011.A00G 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBR 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Corsair CMR16GX4M2K4266C19 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 9905700-013.A00G 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston 9905624-046.A00G 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link