RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Сравнить
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB против Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
94
Около -194% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.4
1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.3
1,165.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
94
32
Скорость чтения, Гб/сек
1,882.0
19.4
Скорость записи, Гб/сек
1,165.4
16.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
305
3726
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9905678-027.A00G 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBD 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Apacer Technology 78.CAGN4.4020B 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link