RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Comparar
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Pontuação geral
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Pontuação geral
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
32
94
Por volta de -194% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
19.4
1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
16.3
1,165.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
6400
Por volta de 3.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
94
32
Velocidade de leitura, GB/s
1,882.0
19.4
Velocidade de escrita, GB/s
1,165.4
16.3
Largura de banda de memória, mbps
6400
21300
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
305
3726
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston 9905625-011.A00G 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 9965589-007.D01G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link