RAM-Vergleich Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB

Gesamtnote

Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB

Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

4 17.4

Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

2,784.6 12.5

Durchschnittswert bei den Tests

Gründe für die Berücksichtigung
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

32 65

Rund um -103% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps

21300 6400

Rund um 3.33 höhere Bandbreite

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB

Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit

5-5-5-15 / 800 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

932 3137

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns