RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Gesamtnote
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
17.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,784.6
12.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
32
65
Rund um -103% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
65
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,806.8
17.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,784.6
12.5
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
932
3137
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KF548C38-16 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRSC 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston XRMWRN-MIE 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD2 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
INTENSO 5641162 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Kingston CBD24D4S7S8MB-8 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link