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Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CMD128GX4M8B3000C16 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Corsair CMD128GX4M8B3000C16 16GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Gesamtnote
Corsair CMD128GX4M8B3000C16 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
14.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,784.6
10.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMD128GX4M8B3000C16 16GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
65
Rund um -150% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CMD128GX4M8B3000C16 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
65
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,806.8
14.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,784.6
10.2
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
932
3035
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
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V-Color Technology Inc. TL48G36S8KBNRGB18 8GB
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G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
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Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
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Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
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G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
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Apacer Technology 78.C1GQB.4032B 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
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