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Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CMD128GX4M8B3000C16 16GB
比较
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Corsair CMD128GX4M8B3000C16 16GB
总分
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
总分
Corsair CMD128GX4M8B3000C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
14.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,784.6
10.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMD128GX4M8B3000C16 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
65
左右 -150% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CMD128GX4M8B3000C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
65
26
读取速度,GB/s
4,806.8
14.8
写入速度,GB/s
2,784.6
10.2
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
932
3035
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB RAM的比较
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Corsair CMD128GX4M8B3000C16 16GB RAM的比较
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Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB
Gowe Technology Co. Ltd. GMT8G04UCL116P-PBC 8GB
Kingston 99U5701-003.A00G 16GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Kingston 9905598-039.A00G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHAB 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK64GX4M4B3000C15 16GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
Apacer Technology 75.A73AA.G03 2GB
Kingston 9905678-121.A00G 8GB
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