RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
16.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,784.6
13.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
32
65
Rund um -103% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
65
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,806.8
16.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,784.6
13.8
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
932
3277
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9965604-033.D00G 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C15 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9965604-008.C00G 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 9905701-143.A00G 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002S 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Corsair CMW32GX4M4C3600C18 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KV0M5R-HYD 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link