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Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
比较
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
总分
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
16.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,784.6
13.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
65
左右 -103% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
65
32
读取速度,GB/s
4,806.8
16.6
写入速度,GB/s
2,784.6
13.8
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
932
3277
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
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Corsair CMSX32GX4M2A2933C19 16GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Corsair CMW32GX4M4C3600C18 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GFX 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Maxsun MSD48G32Q3 8GB
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