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SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
比较
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB vs Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
总分
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
总分
Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
36
左右 22% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17
12.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.2
8.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
36
读取速度,GB/s
12.6
17.0
写入速度,GB/s
8.2
15.2
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1822
3562
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905630-025.A00G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3000C15 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAD 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston KHX2666C16/16G 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston 9905624-022.A00G 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
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