RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
Porównaj
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB vs Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
36
Wokół strony 22% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17
12.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.2
8.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
36
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
17.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.2
15.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1822
3562
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK32GX4M2F4000C19 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Kingston KHX3600C18D4/16GX 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link