RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
15.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,784.6
10.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
33
65
Rund um -97% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
65
33
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,806.8
15.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,784.6
10.4
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
932
2847
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CMU32GX4M2A2400C14 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMW64GX4M8X3600C18 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
INTENSO M418039 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMT16GX4M2Z3200C16 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston 9905712-048.A00G 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G133381 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3000C15 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link