RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,784.6
10.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
65
Wokół strony -97% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
33
Prędkość odczytu, GB/s
4,806.8
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
2,784.6
10.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
932
2847
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 99U5700-032.A00G 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
INTENSO M418039 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link