RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
13.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,784.6
10.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
35
65
Rund um -86% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
65
35
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,806.8
13.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,784.6
10.7
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
932
2731
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C18 8GB
Corsair VS2GB1333D4 2GB
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CMK128GX4M8Z2933C16 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston 99U5701-049.A00G 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Corsair CM4X8GF2133C15S2 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905712-009.A00G 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link