RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
16.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,784.6
13.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
31
65
Rund um -110% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
65
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,806.8
16.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,784.6
13.2
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
932
3300
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMK32GX4M2B3200C16 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston ACR24D4U7D8MB-16 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CM4X16GC3000C15D4 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston HX421C14FB/4 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link